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STB16PF06LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB16PF06LT4
   Código: B16PF06L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB16PF06LT4 Datasheet (PDF)

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STB16PF06LT4

STB16PF06LP-CHANNEL 60V - 0.11 - 16A D2PAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTB16PF06L 60 V

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STB16PF06LT4

STB16PF06LP-CHANNEL 60V - 0.11 - 16A D2PAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTB16PF06L 60 V

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STB16PF06LT4

STP16NK65ZSTB16NK65Z-SN-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP16NK65Z 650 V

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 stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf pdf_icon

STB16PF06LT4

STB16NM50N - STF/I16NM50NSTP16NM50N - STW16NM50NN-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB16NM50N 550 V 0.26 15 ADPAKIPAKSTI16NM50N 550 V 0.26 15 A3STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1)21STP16NM50N 550 V 0.26 15 ATO-247STW16NM50N 550

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History: IRF7463

 

 
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