STB16PF06LT4 - аналоги, параметры транзистора

STB16PF06LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB16PF06LT4

Маркировка: B16PF06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.4 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB16PF06LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB16PF06LT4 даташит

..1. Size:307K st
stb16pf06lt4.pdf pdf_icon

STB16PF06L P-CHANNEL 60V - 0.11 - 16A D2PAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB16PF06L 60 V

4.1. Size:324K st
stb16pf06l.pdf pdf_icon

STB16PF06L P-CHANNEL 60V - 0.11 - 16A D2PAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB16PF06L 60 V

9.1. Size:294K st
stb16nk65z-s stp16nk65z.pdf pdf_icon

STP16NK65Z STB16NK65Z-S N-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP16NK65Z 650 V

9.2. Size:577K st
stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf pdf_icon

STB16NM50N - STF/I16NM50N STP16NM50N - STW16NM50N N-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB16NM50N 550 V 0.26 15 A D PAK I PAK STI16NM50N 550 V 0.26 15 A 3 STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1) 2 1 STP16NM50N 550 V 0.26 15 A TO-247 STW16NM50N 550