STB19NB20-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB19NB20-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB19NB20-1 datasheet

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STB19NB20-1

STP19NB20 - STP19NB20FP STB19NB20-1 N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP19NB20 200 V

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STB19NB20-1

STP19NB20 - STP19NB20FP STB19NB20-1 N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP19NB20 200 V

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STB19NB20-1

STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V

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STB19NB20-1

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

Otros transistores... STB16NS25T4, STB16PF06LT4, STB18N60M2, STB18N65M5, STB18NF30, STB18NM60ND, STB190NF04-1, STB190NF04T4, P55NF06, STB19NM65N, STB200NF03-1, STB200NF03T4, STB200NF04-1, STB200NF04L, STB200NF04L-1, STB200NF04T4, STB20N65M5