STB19NB20-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB19NB20-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB19NB20-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB19NB20-1 даташит

 ..1. Size:408K  st
 stb19nb20-1 stp19nb20 stp19nb20fp.pdf pdf_icon

STB19NB20-1

STP19NB20 - STP19NB20FP STB19NB20-1 N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP19NB20 200 V

 5.1. Size:554K  st
 stb19nb20 stp19nb20 stp19nb20fp.pdf pdf_icon

STB19NB20-1

STP19NB20 - STP19NB20FP STB19NB20-1 N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP19NB20 200 V

 8.1. Size:582K  st
 stb19nf20 stf19nf20 stp19nf20.pdf pdf_icon

STB19NB20-1

STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V

 8.2. Size:543K  st
 stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STB19NB20-1

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB16NS25T4, STB16PF06LT4, STB18N60M2, STB18N65M5, STB18NF30, STB18NM60ND, STB190NF04-1, STB190NF04T4, P55NF06, STB19NM65N, STB200NF03-1, STB200NF03T4, STB200NF04-1, STB200NF04L, STB200NF04L-1, STB200NF04T4, STB20N65M5