STB20N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB20N65M5
Código: 20N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB20N65M5 MOSFET
STB20N65M5 Datasheet (PDF)
stb20n65m5 sti20n65m5 stp20n65m5 stw20n65m5.pdf

STB20N65M5, STI20N65M5, STP20N65M5, STW20N65M5N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max3321 1STB20N65M5D2PAKI2PAKSTI20N65M5710 V 0.19 18 ATABSTP20N65M5STW20N65M5 Worldwide best RDS(on) * area32
stb20nm60-1 stb20nm60t4.pdf

STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V
stb20nm50-1 stb20nm50 stb20nm50t4 stp20nm50fp.pdf

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V
stb20nm60d.pdf

STB20NM60DN-channel 600V - 0.26 - 20A - D2PAKFDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTB20NM60D 600V
Otros transistores... STB19NB20-1 , STB19NM65N , STB200NF03-1 , STB200NF03T4 , STB200NF04-1 , STB200NF04L , STB200NF04L-1 , STB200NF04T4 , 12N60 , STB20N95K5 , STB20NK50ZT4 , STB20NM50 , STB20NM50-1 , STB20NM50FDT4 , STB20NM50T4 , STB20NM60-1 , STB20NM60T4 .



Liste
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