IXFK55N50 Todos los transistores

 

IXFK55N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK55N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO264

 Búsqueda de reemplazo de IXFK55N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXFK55N50 datasheet

 ..1. Size:577K  ixys
 ixfk55n50 ixfx55n50 ixfn55n50.pdf pdf_icon

IXFK55N50

VDSS = 500 V IXFK 55N50 HiPerFETTM ID25 = 55 A IXFX 55N50 Power MOSFET RDS(on) = 90m IXFN 55N50 250 ns trr Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C 500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) G C ID25 TC = 25 C55 A E IDM TC = 2

 ..2. Size:121K  ixys
 ixfk50n50 ixfn50n50 ixfk55n50 ixfn55n50.pdf pdf_icon

IXFK55N50

VDSS ID25 RDS(on) trr HiPerFETTM Power MOSFET IXFN 55N50 500V 55A 80m 250ns IXFN 50N50 500V 50A 100m 250ns IXFK 55N50 500V 55A 80m 250ns Single Die MOSFET IXFK 50N50 500V 50A 100m 250ns Preliminary data sheet TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFN IXFK IXFK IXFN 55N50 50N50 55N50 50N50 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C

 9.1. Size:178K  ixys
 ixfk520n075t2 ixfx520n075t2.pdf pdf_icon

IXFK55N50

Advance Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 75V IXFK520N075T2 HiperFETTM ID25 = 520A IXFX520N075T2 Power MOSFET RDS(on) 2.2m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V Tab D S VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 75 V V

 9.2. Size:70K  ixys
 ixfh52n30q ixfk52n30q ixft52n30q.pdf pdf_icon

IXFK55N50

IXFH 52N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFK 52N30Q Power MOSFETs ID25 = 52 A IXFT 52N30Q Q-Class RDS(on) = 60 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuo

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFK35N50 , IXFK36N60 , IXFK44N50 , IXFK44N60 , IXFK48N50 , IXFK48N50Q , IXFK50N50 , IXFK52N30Q , AON7410 , IXFK60N25Q , IXFK72N20 , IXFK73N30 , IXFK80N20 , IXFK80N20Q , IXFK90N20 , IXFK90N20Q , IXFK90N30 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.