STB24N60DM2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB24N60DM2
Código: 24N60DM2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB24N60DM2
STB24N60DM2 Datasheet (PDF)
stb24n60dm2 stp24n60dm2 stw24n60dm2.pdf
STB24N60DM2, STP24N60DM2, STW24N60DM2N-channel 600 V, 0.175 typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB TABVDS @ RDS(on) 2Order codes ID3 TJmax max13STB24N60DM2D2PAK21STP24N60DM2 650 V 0.20 18 ATO-220STW24N60DM2 Extremely low gate charge and input capacitance32
stb24n60m2 sti24n60m2 stp24n60m2 stw24n60m2.pdf
STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231STB24N60M2321D2PAKSTI24N60M2I2PAK650 V 0.19 18 ASTP24N60M2TABSTW24N60M2 Extremely low gate charge
stb24n65m2 stf24n65m2 stp24n65m2.pdf
STB24N65M2, STF24N65M2, STP24N65M2 N-channel 650 V, 0.185 typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes V R max I DS DS(on) DSTB24N65M2 STF24N65M2 650 V 0.23 16 A STP24N65M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% avalanche tested Ze
stb24nf10 stp24nf10.pdf
STB24NF10STP24NF10N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB24NF10 100V
stb24nm60n.pdf
STB24NM60NN-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFETDPAKFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.STB24NM60N 650 V
stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf
STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65NSTB24NM65N - STP24NM65NN-channel 650 V - 0.16 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKI2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@TJmax)323121STB24NM65N 710 V
stp24nf10 stb24nf10.pdf
STP24NF10STB24NF10N-CHANNEL 100V - 0.055 - 26A TO-220 / D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP24NF10 100 V
stb24nm60n.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STB24NM60NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918