STB27NM60ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB27NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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STB27NM60ND datasheet
stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf
STB27NM60ND, STW27NM60ND Automotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max ID STB27NM60ND TAB 650 V 0.16 21 A STW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 3 2 1 AEC-Q101 qualified 1 D2PAK The worldwide best RDS
stb27nm60nd.pdf
STB27NM60ND STW27NM60ND N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX TAB STB27NM60ND 21 A 650 V 0.16 STW27NM60ND 21 A 3 3 The worldwide best RDS(on)*area amongst the 2 1 1 fast recovery diode devices D2PAK TO-247 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge
stb270n04-1 stb270n04 stp270n04.pdf
STB270N04 STB270N04-1 - STP270N04 N-CHANNEL 40V - 2.1m - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STB270N04-1 40V
stb270n4f3 sti270n4f3.pdf
STB270N4F3 STI270N4F3 N-channel 40 V, 1.6 m , 160 A, D2PAK, I2PAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max STB270N4F3 40 V
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