STB27NM60ND Todos los transistores

 

STB27NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB27NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB27NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  st
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STB27NM60ND

STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS

 ..2. Size:506K  st
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STB27NM60ND

STB27NM60NDSTW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) in D2PAK, TO-247FeaturesVDSS @Type RDS(on) max IDTJMAXTABSTB27NM60ND 21 A650 V 0.16 STW27NM60ND 21 A3 3 The worldwide best RDS(on)*area amongst the 211fast recovery diode devicesD2PAKTO-247 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge

 9.1. Size:302K  st
 stb270n04-1 stb270n04 stp270n04.pdf pdf_icon

STB27NM60ND

STB270N04STB270N04-1 - STP270N04N-CHANNEL 40V - 2.1m - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB270N04-1 40V

 9.2. Size:798K  st
 stb270n4f3 sti270n4f3.pdf pdf_icon

STB27NM60ND

STB270N4F3STI270N4F3N-channel 40 V, 1.6 m, 160 A, D2PAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTB270N4F3 40 V

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History: FDB8160 | SSB90R160SFD | SI7129DN | SSP7431P | RU3091M | JFFM13N50E | WNMD2154

 

 
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