STB27NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB27NM60ND
   Código: 27NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB27NM60ND

STB27NM60ND Datasheet (PDF)

..1. Size:519K st
stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf

STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS

..2. Size:506K st
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STB27NM60NDSTW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) in D2PAK, TO-247FeaturesVDSS @Type RDS(on) max IDTJMAXTABSTB27NM60ND 21 A650 V 0.16 STW27NM60ND 21 A3 3 The worldwide best RDS(on)*area amongst the 211fast recovery diode devicesD2PAKTO-247 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge

9.1. Size:302K st
stb270n04-1 stb270n04 stp270n04.pdf

STB270N04STB270N04-1 - STP270N04N-CHANNEL 40V - 2.1m - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB270N04-1 40V

9.2. Size:798K st
stb270n4f3 sti270n4f3.pdf