STB28NM60ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB28NM60ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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STB28NM60ND datasheet
stb28nm60nd stf28nm60nd stp28nm60nd stw28nm60nd.pdf
STB28NM60ND, STF28NM60ND, STP28NM60ND, STW28NM60ND N-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in D PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ 2 Order codes RDS(on) max ID 3 TJ max. 1 3 2 1 2 STB28NM60ND D PAK TO-220FP STF28NM60ND TAB 650 V 0.150 23 A STP28NM60ND STW28NM60ND 3 3 3 2 2 1 2 1 1
stb28nm50n stf28nm50n stp28nm50n stw28nm50n.pdf
STB28NM50N, STF28NM50N STP28NM50N, STW28NM50N N-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB28NM50N TO-220 TO-220FP STF28NM50N 550 V
stb28nm50n.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STB28NM50N FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIM
stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf
STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D PAK, I PAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) D STB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile
Otros transistores... STB25N80K5, STB25NM50N-1, STB25NM60N, STB25NM60N-1, STB26NM60ND, STB27NM60ND, STB28N60M2, STB28N65M2, BS170, STB2N62K3, STB30NF10T4, STB30NF20L, STB30NM60N, STB31N65M5, STB32NM50N, STB33N60M2, STB33N65M2
History: CS7N80P | SPU04N60S5
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
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