STB28NM60ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB28NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STB28NM60ND Datasheet (PDF)
stb28nm60nd stf28nm60nd stp28nm60nd stw28nm60nd.pdf

STB28NM60ND, STF28NM60ND,STP28NM60ND, STW28NM60NDN-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABVDS @2Order codes RDS(on) max ID3TJ max.13212STB28NM60NDD PAKTO-220FPSTF28NM60NDTAB650 V 0.150 23 ASTP28NM60NDSTW28NM60ND333221 211
stb28nm50n stf28nm50n stp28nm50n stw28nm50n.pdf

STB28NM50N, STF28NM50NSTP28NM50N, STW28NM50NN-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB28NM50NTO-220TO-220FPSTF28NM50N550 V
stb28nm50n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STB28NM50NFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM
stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: KML0D4P20E | FDG327NZ | 2SK3572-Z | MTP2603G6 | ZVP0120A | GSM8931 | HMS29N65D
History: KML0D4P20E | FDG327NZ | 2SK3572-Z | MTP2603G6 | ZVP0120A | GSM8931 | HMS29N65D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815