STB28NM60ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB28NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB28NM60ND
STB28NM60ND Datasheet (PDF)
stb28nm60nd stf28nm60nd stp28nm60nd stw28nm60nd.pdf

STB28NM60ND, STF28NM60ND,STP28NM60ND, STW28NM60NDN-channel 600 V, 0.13 typ., 23 A FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABVDS @2Order codes RDS(on) max ID3TJ max.13212STB28NM60NDD PAKTO-220FPSTF28NM60NDTAB650 V 0.150 23 ASTP28NM60NDSTW28NM60ND333221 211
stb28nm50n stf28nm50n stp28nm50n stw28nm50n.pdf

STB28NM50N, STF28NM50NSTP28NM50N, STW28NM50NN-channel 500 V, 0.135 , 21 A D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB28NM50NTO-220TO-220FPSTF28NM50N550 V
stb28nm50n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STB28NM50NFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM
stb28n60m2 sti28n60m2 stp28n60m2 stw28n60m2.pdf

STB28N60M2, STI28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2 N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax DS(on) DSTB28N60M2 STI28N60M2 650 V 0.150 22 A STP28N60M2 STW28N60M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile
Другие MOSFET... STB25N80K5 , STB25NM50N-1 , STB25NM60N , STB25NM60N-1 , STB26NM60ND , STB27NM60ND , STB28N60M2 , STB28N65M2 , 18N50 , STB2N62K3 , STB30NF10T4 , STB30NF20L , STB30NM60N , STB31N65M5 , STB32NM50N , STB33N60M2 , STB33N65M2 .
History: PSMN4R2-60PL | NP100N04PUH | CS2N80A3HY | WMJ90R260S | MC3541 | ME7170-G | IPI120N08S4-04
History: PSMN4R2-60PL | NP100N04PUH | CS2N80A3HY | WMJ90R260S | MC3541 | ME7170-G | IPI120N08S4-04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815