STB32NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB32NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 179 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB32NM50N datasheet

 ..1. Size:1168K  st
 stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf pdf_icon

STB32NM50N

STB32NM50N, STF32NM50N, STP32NM50N, STW32NM50N N-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS ID PTOT 2 max. 3 1 3 2 STB32NM50N 190 W 1 D PAK TO-220FP STF32NM50N 35 W 500 V 0.13 22 A STP32NM50N 190 W TAB STW32NM50N 190 W 100% avalanche t

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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STB32NM50N

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STB32NM50N DESCRIPTION Drain Current I = 22A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Dr

 8.1. Size:1086K  st
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STB32NM50N

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5 STP32N65M5, STW32N65M5 N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS@ Type RDS(on) max ID TJmax 3 3 1 2 3 1 2 STB32N65M5 710 V

Otros transistores... STB28N60M2, STB28N65M2, STB28NM60ND, STB2N62K3, STB30NF10T4, STB30NF20L, STB30NM60N, STB31N65M5, 5N60, STB33N60M2, STB33N65M2, STB34N65M5, STB34NM60N, STB35NF10T4, STB36NF06LT4, STB36NM60ND, STB38N65M5