STB36NF06LT4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB36NF06LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB36NF06LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB36NF06LT4 datasheet

..1. Size:435K st
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STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V

4.1. Size:444K st
stp36nf06l stb36nf06l.pdf pdf_icon

STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V

8.1. Size:1353K st
stb36nm60nd stw36nm60nd.pdf pdf_icon

STB36NM60ND, STW36NM60ND Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features VDSS @TJ RDS(on) Order codes ID max. max. TAB STB36NM60ND 650 V 0.110 29 A STW36NM60ND 3 Designed for automotive applications and 1 3 2 AEC-Q101 qualified 1 100% avalanche t

8.2. Size:1040K st
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STB36NM60N Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 , 29 A, MDmesh II Power MOSFET in a D PAK package Datasheet production data Features VDS @ RDS(on) Order code ID PTOT TAB TJmax max. STB36NM60N 650 V 0.105 29 A 210 W Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 1 100% avalanche tested 2 D PAK Low input capacitance and gate charge

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