STB36NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB36NM60ND
   Código: 36NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 29 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 80.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 53.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 168 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB36NM60ND

STB36NM60ND Datasheet (PDF)

..1. Size:1353K st
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STB36NM60ND, STW36NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDSS @TJ RDS(on) Order codes IDmax. max.TABSTB36NM60ND650 V 0.110 29 ASTW36NM60ND3 Designed for automotive applications and 1 32 AEC-Q101 qualified1 100% avalanche t

4.1. Size:1040K st
stb36nm60n.pdf

STB36NM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.093 , 29 A, MDmesh II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeatures VDS @RDS(on) Order code ID PTOTTABTJmax max.STB36NM60N 650 V 0.105 29 A 210 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified1 100% avalanche tested2D PAK Low input capacitance and gate charge

8.1. Size:444K st
stp36nf06l stb36nf06l.pdf