STB40N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB40N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de STB40N60M2 MOSFET
STB40N60M2 Datasheet (PDF)
stb40n60m2 stp40n60m2 stw40n60m2.pdf
STB40N60M2, STP40N60M2,STW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID2STB40N60M23132 STP40N60M2 650 V 0.088 34 AD2PAK1STW40N60M2TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous
stb40ns15t4.pdf
STB40NS15N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAKMESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STB40NS15 150V
stb40nf10l.pdf
STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V
stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf
STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V
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History: STB36NF06LT4 | TPD50R3K8D
History: STB36NF06LT4 | TPD50R3K8D
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