STB40N60M2 Todos los transistores

 

STB40N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB40N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB40N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  st
 stb40n60m2 stp40n60m2 stw40n60m2.pdf pdf_icon

STB40N60M2

STB40N60M2, STP40N60M2,STW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID2STB40N60M23132 STP40N60M2 650 V 0.088 34 AD2PAK1STW40N60M2TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous

 8.1. Size:316K  st
 stb40ns15t4.pdf pdf_icon

STB40N60M2

STB40NS15N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAKMESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesRDS(on)Type VDSS ID(max)STB40NS15 150V

 8.2. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40N60M2

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 8.3. Size:477K  st
 stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf pdf_icon

STB40N60M2

STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V

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History: IXFC80N085 | SSF11NS70UF | LS4119 | SI4368DY | QM6007K | SSI2N80A | SWK15N04V

 

 
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