STB40N60M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB40N60M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB40N60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB40N60M2 даташит

 ..1. Size:1189K  st
stb40n60m2 stp40n60m2 stw40n60m2.pdfpdf_icon

STB40N60M2

STB40N60M2, STP40N60M2, STW40N60M2 N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 2 STB40N60M2 3 1 3 2 STP40N60M2 650 V 0.088 34 A D2PAK 1 STW40N60M2 TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous

 8.1. Size:316K  st
stb40ns15t4.pdfpdf_icon

STB40N60M2

STB40NS15 N-channel 150V - 0.045 - 40A - D2PAK MESH OVERLAY Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID (max) STB40NS15 150V

 8.2. Size:400K  st
stb40nf10l.pdfpdf_icon

STB40N60M2

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 8.3. Size:477K  st
stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdfpdf_icon

STB40N60M2

STP40NF20 - STF40NF20 STB40NF20 - STW40NF20 N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW 3 STB40NF20 200V

Другие IGBT... STB34N65M5, STB34NM60N, STB35NF10T4, STB36NF06LT4, STB36NM60ND, STB38N65M5, STB3NK60ZT4, STB40N20, 8N60, STB40NF10LT4, STB40NF10T4, STB40NS15T4, STB45N65M5, STB45NF06T4, STB46N30M5, STB46NF30, STB4NK60ZT4