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STB40NF10LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB40NF10LT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB40NF10LT4

 

Principales características: STB40NF10LT4

 ..1. Size:393K  st
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STB40NF10LT4

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

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STB40NF10LT4

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

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STB40NF10LT4

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

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STB40NF10LT4

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

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History: WMT05N12TS | IRFZ44L

 

 
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