STB40NF10LT4 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STB40NF10LT4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STB40NF10LT4 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для STB40NF10LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:393K st
stb40nf10lt4.pdf pdf_icon

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

4.1. Size:400K st
stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

5.1. Size:403K st
stb40nf10t4.pdf pdf_icon

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

5.2. Size:414K st
stb40nf10.pdf pdf_icon

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V