STB40NF10T4 Todos los transistores

 

STB40NF10T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB40NF10T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STB40NF10T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  st
 stb40nf10t4.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

 5.1. Size:400K  st
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STB40NF10T4

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 5.2. Size:393K  st
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STB40NF10T4

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 5.3. Size:414K  st
 stb40nf10.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

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History: AFP6405S | HFA24N50G | IRF6894MPBF | IRF6898MPBF | NTMFD5875NLT1G | WMO50P03T1 | SI2333DS

 

 
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