STB40NF10T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB40NF10T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB40NF10T4 datasheet

 ..1. Size:403K  st
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STB40NF10T4

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

 5.1. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 5.2. Size:393K  st
 stb40nf10lt4.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 5.3. Size:414K  st
 stb40nf10.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

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