Справочник MOSFET. STB40NF10T4

 

STB40NF10T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB40NF10T4
   Маркировка: B40NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60.6 nC
   Время нарастания (tr): 63 ns
   Выходная емкость (Cd): 265 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB40NF10T4

 

 

STB40NF10T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  st
stb40nf10t4.pdf

STB40NF10T4 STB40NF10T4

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

 5.1. Size:400K  st
stb40nf10l.pdf

STB40NF10T4 STB40NF10T4

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 5.2. Size:393K  st
stb40nf10lt4.pdf

STB40NF10T4 STB40NF10T4

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 5.3. Size:414K  st
stb40nf10.pdf

STB40NF10T4 STB40NF10T4

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top