Справочник MOSFET. STB40NF10T4

 

STB40NF10T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB40NF10T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB40NF10T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB40NF10T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  st
 stb40nf10t4.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

 5.1. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 5.2. Size:393K  st
 stb40nf10lt4.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 5.3. Size:414K  st
 stb40nf10.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STB35NF10T4 , STB36NF06LT4 , STB36NM60ND , STB38N65M5 , STB3NK60ZT4 , STB40N20 , STB40N60M2 , STB40NF10LT4 , IRF520 , STB40NS15T4 , STB45N65M5 , STB45NF06T4 , STB46N30M5 , STB46NF30 , STB4NK60ZT4 , STB55NF03L-1 , STB55NF06L-1 .

History: SIZ702DT | AMA420N | HY1808AP | BLV108 | FDBL86363-F085 | RF1S70N06 | SWD6N65K

 

 
Back to Top

 


 
.