STB40NF10T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB40NF10T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB40NF10T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB40NF10T4 даташит

 ..1. Size:403K  st
 stb40nf10t4.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

 5.1. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 5.2. Size:393K  st
 stb40nf10lt4.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10L 100V

 5.3. Size:414K  st
 stb40nf10.pdf pdf_icon

STB40NF10T4

STB40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB40NF10 100V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB35NF10T4, STB36NF06LT4, STB36NM60ND, STB38N65M5, STB3NK60ZT4, STB40N20, STB40N60M2, STB40NF10LT4, 75N75, STB40NS15T4, STB45N65M5, STB45NF06T4, STB46N30M5, STB46NF30, STB4NK60ZT4, STB55NF03L-1, STB55NF06L-1