STB60NF06-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB60NF06-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: I2PAK

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STB60NF06-1 datasheet

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STB60NF06-1

STB60NF06 STB60NF06-1 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06-1 60V

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STB60NF06-1

STB60NF06 STB60NF06-1 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06-1 60V

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STB60NF06-1

STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06 60V

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STB60NF06-1

STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP N-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06L 60V

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