STB60NF06-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB60NF06-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB60NF06-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB60NF06-1 даташит

 ..1. Size:415K  st
 stb60nf06-1 stb60nf06t4.pdf pdf_icon

STB60NF06-1

STB60NF06 STB60NF06-1 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06-1 60V

 ..2. Size:419K  st
 stb60nf06 stb60nf06-1.pdf pdf_icon

STB60NF06-1

STB60NF06 STB60NF06-1 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06-1 60V

 5.1. Size:425K  st
 stb60nf06.pdf pdf_icon

STB60NF06-1

STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06 60V

 5.2. Size:514K  st
 stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdf pdf_icon

STB60NF06-1

STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP N-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06L 60V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB55NF06L-1, STB55NF06LT4, STB55NF06T4, STB57N65M5, STB5NK50Z-1, STB5NK50ZT4, STB5NK52ZD-1, STB60NE06L-16T4, MMIS60R580P, STB60NF06LT4, STB60NF06T4, STB60NF10-1, STB60NF10T4, STB60NH02LT4, STB6N60M2, STB6N62K3, STB6N65M2