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STB75NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB75NH02LT4
   Código: B75NH02L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB75NH02LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  st
 stb75nh02lt4.pdf pdf_icon

STB75NH02LT4

STB75NH02LN-Channel 24V - 0.0062 - 60A - D2PAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) IDTypeSTB75NH02L 24V

 8.1. Size:426K  st
 stb75nf75 stp75nf75 stp75nf75fp.pdf pdf_icon

STB75NH02LT4

STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V

 8.2. Size:517K  st
 stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf pdf_icon

STB75NH02LT4

STB75N20STP75N20 - STW75N20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75N20 200V

 8.3. Size:327K  st
 stb75nf75lt4.pdf pdf_icon

STB75NH02LT4

STB75NF75LN-channel 75V - 0.009 - 75A - D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75L 75V

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