STB76NF80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB76NF80
   Código: B76NF80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 117 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB76NF80

STB76NF80 Datasheet (PDF)

..1. Size:669K st
stb76nf80.pdf

STB76NF80N-channel 80 V, 0.0095 , 80 A D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB76NF80 80 V

7.1. Size:767K st
stb76nf75 sti76nf75 stp76nf75.pdf

STB76NF75, STI76NF75STP76NF75N-channel 75 V, 0.0095 , 80 A TO-220, D2PAK, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax31STB76NF75 75 V

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Liste

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