STB76NF80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB76NF80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB76NF80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB76NF80 даташит

 ..1. Size:669K  st
 stb76nf80.pdf pdf_icon

STB76NF80

STB76NF80 N-channel 80 V, 0.0095 , 80 A D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB76NF80 80 V

 7.1. Size:767K  st
 stb76nf75 sti76nf75 stp76nf75.pdf pdf_icon

STB76NF80

STB76NF75, STI76NF75 STP76NF75 N-channel 75 V, 0.0095 , 80 A TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 1 STB76NF75 75 V

Другие IGBT... STB70NF03LT4, STB70NF3LLT4, STB70NFS03LT4, STB70NH03LT4, STB75N20, STB75NF75LT4, STB75NF75T4, STB75NH02LT4, IRFP260N, STB7ANM60N, STB7NK80ZT4, STB80NE03L-06T4, STB80NF03L-04-1, STB80NF06, STB80NF10T4, STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T