STB76NF80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB76NF80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
STB76NF80 Datasheet (PDF)
stb76nf80.pdf
STB76NF80N-channel 80 V, 0.0095 , 80 A D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB76NF80 80 V
stb76nf75 sti76nf75 stp76nf75.pdf
STB76NF75, STI76NF75STP76NF75N-channel 75 V, 0.0095 , 80 A TO-220, D2PAK, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax31STB76NF75 75 V
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918