STB80NF03L-04-1 Todos los transistores

 

STB80NF03L-04-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB80NF03L-04-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 270 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STB80NF03L-04-1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:242K  st
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STB80NF03L-04-1

STB80NF03L-04N-channel 30 V, 0.0035 , 80 A, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB80NF03L-04 30V

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STB80NF03L-04-1

STB80NF03L-04T4N-channel 30 V, 0.0035 , 80 A D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB80NF03L-04T4 30 V

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STB80NF03L-04-1

STP80NF06 - STB80NF06STW80NF06N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB80NF06 60V

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STB80NF03L-04-1

STP80NF06 - STB80NF06STW80NF06N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTB80NF06 60V

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History: STP7N95K3

 

 
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