STB80NF03L-04-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80NF03L-04-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STB80NF03L-04-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80NF03L-04-1 даташит

 0.1. Size:242K  st
stb80nf03l-04-1.pdfpdf_icon

STB80NF03L-04-1

STB80NF03L-04 N-channel 30 V, 0.0035 , 80 A, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF03L-04 30V

 1.1. Size:321K  st
stb80nf03l-04t4.pdfpdf_icon

STB80NF03L-04-1

STB80NF03L-04T4 N-channel 30 V, 0.0035 , 80 A D2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB80NF03L-04T4 30 V

 6.1. Size:301K  st
stb80nf06.pdfpdf_icon

STB80NF03L-04-1

STP80NF06 - STB80NF06 STW80NF06 N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF06 60V

 6.2. Size:308K  st
stp80nf06 stb80nf06 stw80nf06.pdfpdf_icon

STB80NF03L-04-1

STP80NF06 - STB80NF06 STW80NF06 N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF06 60V

Другие IGBT... STB75N20, STB75NF75LT4, STB75NF75T4, STB75NH02LT4, STB76NF80, STB7ANM60N, STB7NK80ZT4, STB80NE03L-06T4, 10N60, STB80NF06, STB80NF10T4, STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4, STB80NF55-08-1, STB80NF55L-08, STB80PF55T4