STB80NF10T4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB80NF10T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB80NF10T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de STB80NF10T4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STB80NF10T4 datasheet

..1. Size:577K st
stb80nf10t4.pdf pdf_icon

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

5.1. Size:579K st
stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

6.1. Size:501K st
stb80nf12.pdf pdf_icon

STB80NF12 STW80NF12 STP80NF12 STP80NF12FP N-CHANNEL 120V-0.013 -80A TO-220/TO-247/TO-220FP/D PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID TO-220 TO-220FP STB80NF12 120 V

7.1. Size:447K st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V