STB80NF10T4 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STB80NF10T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80NF10T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB80NF10T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STB80NF10T4 даташит

..1. Size:577K st
stb80nf10t4.pdf pdf_icon

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

5.1. Size:579K st
stb80nf10 stp80nf10.pdf pdf_icon

STB80NF10 STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 , 80 A, TO-220, D2PAK low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STP80NF10 100 V

6.1. Size:501K st
stb80nf12.pdf pdf_icon

STB80NF12 STW80NF12 STP80NF12 STP80NF12FP N-CHANNEL 120V-0.013 -80A TO-220/TO-247/TO-220FP/D PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID TO-220 TO-220FP STB80NF12 120 V

7.1. Size:447K st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V