STB80NF55-06T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB80NF55-06T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB80NF55-06T4 datasheet

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STB80NF55-06T4

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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STB80NF55-06T N-channel 55 V, 5 m , 80 A STripFET II Power MOSFET in a D PAK package Features Order code VDSS RDS(on) max. ID STB80NF55-06T 55 V

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STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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STB80NF55-06T4

STB80NF55-06 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP N-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55 V

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