STB80NF55-06T4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB80NF55-06T4
Маркировка: B80NF55-06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 142 nC
Время нарастания (tr): 155 ns
Выходная емкость (Cd): 1020 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB80NF55-06T4
STB80NF55-06T4 Datasheet (PDF)
stb80nf55-06-1 stb80nf55-06t4 stp80nf55-06fp.pdf
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V
stb80nf55-06t.pdf
STB80NF55-06TN-channel 55 V, 5 m, 80 A STripFET II Power MOSFETin a DPAK packageFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB80NF55-06T 55 V
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf
STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V
stb80nf55-06.pdf
STB80NF55-06STP80NF55-06 STP80NF55-06FPN-CHANNEL 55V - 0.005 - 80A TO-220/TO-220FP/D2PAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
