STB80PF55T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB80PF55T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB80PF55T4 datasheet

 ..1. Size:249K  st
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STB80PF55T4

STB80PF55 STP80PF55 P-channel 55V - 0.016 - 80A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP80PF55 55V

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STB80PF55T4

STB80PF55 STP80PF55 P-channel 55 V, 0.016 , 80 A TO-220, D2PAK STripFETTM II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP80PF55 55V

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STB80PF55T4

STB80PF55 P-CHANNEL 55V - 0.016 - 80A D2PAK STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB80PF55 55 V

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stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STB80PF55T4

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

Otros transistores... STB80NF03L-04-1, STB80NF06, STB80NF10T4, STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4, STB80NF55-08-1, STB80NF55L-08, IRF630, STB85NF3LLT4, STB85NF55L, STB85NF55LT4, STB85NF55T4, STB85NS04Z, STB8NM60N, STB8NM60T4, STB95N4F3