STB80PF55T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB80PF55T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB80PF55T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80PF55T4 даташит

 ..1. Size:249K  st
stb80pf55t4.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80PF55 STP80PF55 P-channel 55V - 0.016 - 80A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP80PF55 55V

 5.1. Size:342K  st
stb80pf55 stp80pf55.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80PF55 STP80PF55 P-channel 55 V, 0.016 , 80 A TO-220, D2PAK STripFETTM II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP80PF55 55V

 5.2. Size:175K  st
stb80pf55.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80PF55 P-CHANNEL 55V - 0.016 - 80A D2PAK STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB80PF55 55 V

 9.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

Другие IGBT... STB80NF03L-04-1, STB80NF06, STB80NF10T4, STB80NF55-06-1, STB80NF55-06T, STB80NF55-06T4, STB80NF55-08-1, STB80NF55L-08, IRF630, STB85NF3LLT4, STB85NF55L, STB85NF55LT4, STB85NF55T4, STB85NS04Z, STB8NM60N, STB8NM60T4, STB95N4F3