Справочник MOSFET. STB80PF55T4

 

STB80PF55T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB80PF55T4
   Маркировка: B80PF55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 190 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STB80PF55T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  st
stb80pf55t4.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80PF55STP80PF55P-channel 55V - 0.016 - 80A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP80PF55 55V

 5.1. Size:342K  st
stb80pf55 stp80pf55.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80PF55STP80PF55P-channel 55 V, 0.016 , 80 A TO-220, D2PAKSTripFETTM II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP80PF55 55V

 5.2. Size:175K  st
stb80pf55.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80PF55P-CHANNEL 55V - 0.016 - 80A D2PAKSTripFET II POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB80PF55 55 V

 9.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STB80PF55T4

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM4302B | SIB406EDK | UTT30P06G-TQ2-T | IPP100N12S3-05 | IRFU13N20D | NCE70N290K | SI5N60L-TN3-T

 

 
Back to Top

 


 
.