STB85NS04Z Todos los transistores

 

STB85NS04Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB85NS04Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB85NS04Z Datasheet (PDF)

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STB85NS04Z

STB85NS04ZSTB85NS04Z-1N-channel 11m - 80A - D2PAK - I2PAKSAFeFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB85NS04Z Clamped

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STB85NS04Z

STB85NS04ZSTB85NS04Z-1N-channel 11m - 80A - D2PAK - I2PAKSAFeFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB85NS04Z Clamped

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STB85NS04Z

STB85NF55, STI85NF55STP85NF55N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB85NF55 55 V

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STB85NS04Z

STB85NF55, STI85NF55STP85NF55N-channel 55 V, 0.0062 , 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAKSTripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTB85NF55 55 V

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History: AOWF780A70 | IRF3703

 

 
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