IRFS7530PBF Todos los transistores

 

IRFS7530PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS7530PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 274 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 141 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1266 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFS7530PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  international rectifier
 irfb7530 irfs7530pbf irfsl7530pbf.pdf pdf_icon

IRFS7530PBF

StrongIRFET IRFB7530PbF IRFS7530PbF IRFSL7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 295A

 ..2. Size:655K  international rectifier
 irfb7530pbf irfs7530pbf irfsl7530pbf.pdf pdf_icon

IRFS7530PBF

StrongIRFET IRFB7530PbF IRFS7530PbF IRFSL7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 295A

 6.1. Size:565K  international rectifier
 irfs7530-7ppbf.pdf pdf_icon

IRFS7530PBF

StrongIRFET IRFS7530-7PPbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V BLDC Motor drive applications DRDS(on) typ. Battery powered circuits 1.15m Half-bridge and full-bridge topologies max 1.4mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 338A S Resonant mode

 6.2. Size:258K  inchange semiconductor
 irfs7530.pdf pdf_icon

IRFS7530PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS7530FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

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History: HM24N20KA

 

 
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