IRFS820B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFS820B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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IRFS820B datasheet
irfs820a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 2.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Va
Otros transistores... IRFS7537PBF , IRFS7540PBF , IRFS7730PBF , IRFS7730-7PPBF , IRFS7734PBF , IRFS7734-7PPBF , IRFS7762PBF , IRFS7787PBF , 7N60 , IRFS840B , IRFS9N60APBF , IRFSL11N50APBF , IRFSL17N20D , IRFSL17N20DPBF , IRFSL23N15D , IRFSL23N15DPBF , IRFSL3004PBF .
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