IRFSL11N50APBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFSL11N50APBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Encapsulados: TO-262
Búsqueda de reemplazo de IRFSL11N50APBF MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IRFSL11N50APBF datasheet
irfsl11n50apbf.pdf
PD- 95231 IRFSL11N50APbF Lead-Free 04/29/04 Document Number 91288 www.vishay.com 1 IRFSL11N50APbF Document Number 91288 www.vishay.com 2 IRFSL11N50APbF Document Number 91288 www.vishay.com 3 IRFSL11N50APbF Document Number 91288 www.vishay.com 4 IRFSL11N50APbF Document Number 91288 www.vishay.com 5 IRFSL11N50APbF Document Number 91288 www.vishay.com 6 IRFSL11
irfsl11n50apbf sihfsl11n50a.pdf
IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 51 Ease of Paralleling Qgs (nC) 12 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Single DESCRIPTION D I2PAK
irfsl11n50a.pdf
PD- 91847A IRFSL11N50A HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500V Fast Switching Ease of Paraleling RDS(on) = 0.55 Simple Drive Requirements G ID = 11A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on- resistance
irfsl11n50a sihfsl11n50a.pdf
IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 51 Ease of Paralleling Qgs (nC) 12 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 23 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration Single DESCRIPTION D I2PAK
Otros transistores... IRFS7730-7PPBF , IRFS7734PBF , IRFS7734-7PPBF , IRFS7762PBF , IRFS7787PBF , IRFS820B , IRFS840B , IRFS9N60APBF , IRF830 , IRFSL17N20D , IRFSL17N20DPBF , IRFSL23N15D , IRFSL23N15DPBF , IRFSL3004PBF , IRFSL3006PBF , IRFSL3107PBF , IRFSL31N20DPBF .
History: IRFSL17N20D | IRFS9N60APBF
History: IRFSL17N20D | IRFS9N60APBF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor