IRFSL4227PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFSL4227PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
Búsqueda de reemplazo de IRFSL4227PBF MOSFET
IRFSL4227PBF Datasheet (PDF)
irfs4227pbf irfsl4227pbf.pdf

PD - 96131AIRFS4227PbFPDP SWITCHIRFSL4227PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS max 200 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain,VDS (Avalanche) typ. 240 V Energy Recovery and Pass Switch Applicationsl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 22 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C 130 A and Pass Switch
irfsl4227.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL4227FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)22mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 200 VDSSV Gate-Source Vo
irfs4228pbf irfsl4228pbf.pdf

PD - 97231AIRFS4228PbFPDP SWITCHIRFSL4228PbFFeaturesl Advanced Process Technology Key Parametersl Key Parameters Optimized for PDP VDS min150 V Sustain, Energy Recovery and PassVDS (Avalanche) typ.180 V Switch ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m12l Low EPULSE Rating to Reduce PowerIRP max @ TC= 100C170 A Dissipation in PDP Sustain, EnergyTJ max175 C Reco
irfsl4229pbf.pdf

PD - 96285IRFSL4229PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min250 Vl Low QG for Fast Responsel High Repetitive Peak Current Capability forVDS (Avalanche) typ.300 V Reliable OperationRDS(ON) typ. @ 10V m42l Short Fall & Rise Times for Fast SwitchingIRP max @ TC= 100C91 Al175C Operating Junction Temperature forTJ max175 C Improved Ru
Otros transistores... IRFSL3307ZPBF , IRFSL3607PBF , IRFSL3806PBF , IRFSL38N20DPBF , IRFSL4010PBF , IRFSL4020PBF , IRFSL4115PBF , IRFSL4127PBF , IRF540N , IRFSL4228PBF , IRFSL4229PBF , IRFSL4310PBF , IRFSL4310ZPBF , IRFSL4321PBF , IRFSL4410PBF , IRFSL4410ZPBF , IRFSL4510PBF .
History: PHP32N06LT | P1060ETFNA | SRC65R1K3ES | NCE8205A | 2SK947 | 2SK241 | RHU003N03
History: PHP32N06LT | P1060ETFNA | SRC65R1K3ES | NCE8205A | 2SK947 | 2SK241 | RHU003N03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet