Справочник MOSFET. IRFSL4227PBF

 

IRFSL4227PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFSL4227PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 460 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для IRFSL4227PBF

 

 

IRFSL4227PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  international rectifier
 irfs4227pbf irfsl4227pbf.pdf

IRFSL4227PBF IRFSL4227PBF

PD - 96131AIRFS4227PbFPDP SWITCHIRFSL4227PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS max 200 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain,VDS (Avalanche) typ. 240 V Energy Recovery and Pass Switch Applicationsl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 22 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C 130 A and Pass Switch

 ..2. Size:357K  infineon
 irfs4227pbf irfsl4227pbf.pdf

IRFSL4227PBF IRFSL4227PBF

PD - 96131AIRFS4227PbFPDP SWITCHIRFSL4227PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS max 200 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain,VDS (Avalanche) typ. 240 V Energy Recovery and Pass Switch Applicationsl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 22 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C 130 A and Pass Switch

 5.1. Size:269K  inchange semiconductor
 irfsl4227.pdf

IRFSL4227PBF IRFSL4227PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL4227FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)22mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 200 VDSSV Gate-Source Vo

 6.1. Size:371K  international rectifier
 irfs4228pbf irfsl4228pbf.pdf

IRFSL4227PBF IRFSL4227PBF

PD - 97231AIRFS4228PbFPDP SWITCHIRFSL4228PbFFeaturesl Advanced Process Technology Key Parametersl Key Parameters Optimized for PDP VDS min150 V Sustain, Energy Recovery and PassVDS (Avalanche) typ.180 V Switch ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m12l Low EPULSE Rating to Reduce PowerIRP max @ TC= 100C170 A Dissipation in PDP Sustain, EnergyTJ max175 C Reco

 6.2. Size:275K  international rectifier
 irfsl4229pbf.pdf

IRFSL4227PBF IRFSL4227PBF

PD - 96285IRFSL4229PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min250 Vl Low QG for Fast Responsel High Repetitive Peak Current Capability forVDS (Avalanche) typ.300 V Reliable OperationRDS(ON) typ. @ 10V m42l Short Fall & Rise Times for Fast SwitchingIRP max @ TC= 100C91 Al175C Operating Junction Temperature forTJ max175 C Improved Ru

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top