IRFSL4229PBF Todos los transistores

 

IRFSL4229PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFSL4229PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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IRFSL4229PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:275K  international rectifier
 irfsl4229pbf.pdf pdf_icon

IRFSL4229PBF

PD - 96285IRFSL4229PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS min250 Vl Low QG for Fast Responsel High Repetitive Peak Current Capability forVDS (Avalanche) typ.300 V Reliable OperationRDS(ON) typ. @ 10V m42l Short Fall & Rise Times for Fast SwitchingIRP max @ TC= 100C91 Al175C Operating Junction Temperature forTJ max175 C Improved Ru

 6.1. Size:371K  international rectifier
 irfs4228pbf irfsl4228pbf.pdf pdf_icon

IRFSL4229PBF

PD - 97231AIRFS4228PbFPDP SWITCHIRFSL4228PbFFeaturesl Advanced Process Technology Key Parametersl Key Parameters Optimized for PDP VDS min150 V Sustain, Energy Recovery and PassVDS (Avalanche) typ.180 V Switch ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m12l Low EPULSE Rating to Reduce PowerIRP max @ TC= 100C170 A Dissipation in PDP Sustain, EnergyTJ max175 C Reco

 6.2. Size:357K  international rectifier
 irfs4227pbf irfsl4227pbf.pdf pdf_icon

IRFSL4229PBF

PD - 96131AIRFS4227PbFPDP SWITCHIRFSL4227PbFFeaturesKey Parametersl Advanced Process TechnologyVDS max 200 Vl Key Parameters Optimized for PDP Sustain,VDS (Avalanche) typ. 240 V Energy Recovery and Pass Switch Applicationsl Low EPULSE Rating to Reduce PowermRDS(ON) typ. @ 10V 22 Dissipation in PDP Sustain, Energy RecoveryIRP max @ TC= 100C 130 A and Pass Switch

 6.3. Size:269K  inchange semiconductor
 irfsl4227.pdf pdf_icon

IRFSL4229PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL4227FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)22mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 200 VDSSV Gate-Source Vo

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