IXFM15N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFM15N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFM15N60

IXFM15N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:82K ixys
ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 WPower MOSFETsIXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 Wtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

7.1. Size:426K 1
ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf

9.1. Size:570K ixys
ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

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ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 1

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ixfh13n50 ixfm13n50.pdf

HiPerFETTM IXFH 13 N50 VDSS = 500 VPower MOSFETs IXFM 13 N50 ID (cont) = 13 ARDS(on) = 0.4 WN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 ATO-204 AA

9.4. Size:95K ixys
ixfh11n80 ixfh13n80 ixfm11n80 ixfm13n80.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 11 N80 800 V 11 A 0.95 WPower MOSFETsIXFH/IXFM 13 N80 800 V 13 A 0.80 Wtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 2

Otros transistores... IXFM10N90 , IXFM11N80 , IXFM12N100 , IXFM12N90 , IXFM12N90Q , IXFM13N50 , IXFM13N80 , IXFM14N80 , STF13NM60N , IXFM15N80 , IXFM20N60 , IXFM21N50 , IXFM24N50 , IXFM35N30 , IXFM40N30 , IXFM42N20 , IXFM50N20 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: