IXFM15N60 - описание и поиск аналогов

 

IXFM15N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFM15N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для IXFM15N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFM15N60 даташит

 ..1. Size:82K  ixys
ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdfpdf_icon

IXFM15N60

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

 9.2. Size:179K  ixys
ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdfpdf_icon

IXFM15N60

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETs IXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 1

Другие MOSFET... IXFM10N90 , IXFM11N80 , IXFM12N100 , IXFM12N90 , IXFM12N90Q , IXFM13N50 , IXFM13N80 , IXFM14N80 , 2SK3568 , IXFM15N80 , IXFM20N60 , IXFM21N50 , IXFM24N50 , IXFM35N30 , IXFM40N30 , IXFM42N20 , IXFM50N20 .

History: HM1060E | HM100N20T | TMD2N40 | STC4545

 

 

 

 

↑ Back to Top
.