IRFU1018EPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFU1018EPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFU1018EPBF

IRFU1018EPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:368K international rectifier
irfr1018epbf irfu1018epbf.pdf

PD - 97129AIRFR1018EPbFIRFU1018EPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPS D VDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingmax. 8.4m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)79A cID (Package Limited)S 56A Benefitsl Improved Gate, Avalanche and Dyna

..2. Size:368K infineon
irfr1018epbf irfu1018epbf.pdf

5.1. Size:261K inchange semiconductor
irfu1018e.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU1018EFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

7.1. Size:328K international rectifier
irfr1010zpbf irfu1010zpbf.pdf

PD - 95951AIRFR1010ZPbFIRFU1010ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 7.5mG Lead-FreeID = 42ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-re

7.2. Size:328K infineon
irfr1010zpbf irfu1010zpbf.pdf

7.3. Size:261K inchange semiconductor
irfu1010z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU1010ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KU035N06P

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: