Справочник MOSFET. IRFU1018EPBF

 

IRFU1018EPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFU1018EPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для IRFU1018EPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU1018EPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  international rectifier
irfr1018epbf irfu1018epbf.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

PD - 97129AIRFR1018EPbFIRFU1018EPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inSMPS D VDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingmax. 8.4m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)79A cID (Package Limited)S 56A Benefitsl Improved Gate, Avalanche and Dyna

 5.1. Size:261K  inchange semiconductor
irfu1018e.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU1018EFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 7.1. Size:328K  international rectifier
irfr1010zpbf irfu1010zpbf.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

PD - 95951AIRFR1010ZPbFIRFU1010ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 7.5mG Lead-FreeID = 42ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-re

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
irfu1010z.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU1010ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие MOSFET... IRFTS8342PBF , IRFTS9342PBF , IRFU014PBF , IRFU020PBF , IRFU024 , IRFU024NPBF , IRFU024PBF , IRFU1010ZPBF , RFP50N06 , IRFU110PBF , IRFU1205PBF , IRFU120NPBF , IRFU120PBF , IRFU120ZPBF , IRFU12N25D , IRFU12N25DPBF , IRFU13N20DPBF .

History: PDC3803R | JCS6AN70F | SQ2337ES | AP6901GSM-HF | AON7518 | NCE70T900F | 2SK346

 

 
Back to Top

 


 
.