IRFU1018EPBF - описание и поиск аналогов

 

IRFU1018EPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU1018EPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IRFU1018EPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU1018EPBF даташит

 ..1. Size:368K  international rectifier
irfr1018epbf irfu1018epbf.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

PD - 97129A IRFR1018EPbF IRFU1018EPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS D VDSS 60V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 7.1m l High Speed Power Switching max. 8.4m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 79A c ID (Package Limited) S 56A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dyna

 5.1. Size:261K  inchange semiconductor
irfu1018e.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU1018E FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

 7.1. Size:328K  international rectifier
irfr1010zpbf irfu1010zpbf.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

PD - 95951A IRFR1010ZPbF IRFU1010ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 7.5m G Lead-Free ID = 42A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-re

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
irfu1010z.pdfpdf_icon

IRFU1018EPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU1010Z FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие MOSFET... IRFTS8342PBF , IRFTS9342PBF , IRFU014PBF , IRFU020PBF , IRFU024 , IRFU024NPBF , IRFU024PBF , IRFU1010ZPBF , AON7410 , IRFU110PBF , IRFU1205PBF , IRFU120NPBF , IRFU120PBF , IRFU120ZPBF , IRFU12N25D , IRFU12N25DPBF , IRFU13N20DPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.