IXFM35N30 Todos los transistores

 

IXFM35N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFM35N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO204

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IXFM35N30 datasheet

 ..1. Size:168K  ixys
 ixfh35n30 ixfh40n30 ixfm35n30 ixfm40n30.pdf pdf_icon

IXFM35N30

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 35 N30 300 V 35 A 100 mW Power MOSFETs IXFH 40 N30 300 V 40 A 85 mW IXFM 40 N30 300 V 40 A 88 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Trans

Otros transistores... IXFM13N50 , IXFM13N80 , IXFM14N80 , IXFM15N60 , IXFM15N80 , IXFM20N60 , IXFM21N50 , IXFM24N50 , AO3407 , IXFM40N30 , IXFM42N20 , IXFM50N20 , IXFM67N10 , IXFM6N100 , IXFM6N90 , IXFM75N10 , IXFM7N80 .

History: 30P06 | NTD4904N | 2SK3857CT | IRF3205LPBF | LXP152ALT1G

 

 

 

 

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