IXFM35N30 Todos los transistores

 

IXFM35N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFM35N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 177 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204
 

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IXFM35N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  ixys
 ixfh35n30 ixfh40n30 ixfm35n30 ixfm40n30.pdf pdf_icon

IXFM35N30

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 35 N30 300 V 35 A 100 mWPower MOSFETsIXFH 40 N30 300 V 40 A 85 mWIXFM 40 N30 300 V 40 A 88 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Trans

Otros transistores... IXFM13N50 , IXFM13N80 , IXFM14N80 , IXFM15N60 , IXFM15N80 , IXFM20N60 , IXFM21N50 , IXFM24N50 , 7N60 , IXFM40N30 , IXFM42N20 , IXFM50N20 , IXFM67N10 , IXFM6N100 , IXFM6N90 , IXFM75N10 , IXFM7N80 .

History: SSM3J01F

 

 
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