STD100NH03LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD100NH03LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD100NH03LT4 datasheet
std100nh03lt4.pdf
STD100NH03L N-channel 30V - 0.005 - 60A - DPAK STripFET III Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD100NH03L 30V
std100nh02l.pdf
STD100NH02L STD100NH02L-1 N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD100NH02L 24V
std100nh02lt4.pdf
STD100NH02L STD100NH02L-1 N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD100NH02L 24V
std100n3lf3.pdf
STD100N3LF3 N-channel 30 V, 0.0045 , 80 A, DPAK planar STripFET II Power MOSFET Features Type VDSSS RDS(on) ID Pw STD100N3LF3 30 V
Otros transistores... STC4606 , STC4614 , STC6332 , STC6602 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , STD100NH02LT4 , IRFB4110 , STD105N10F7AG , STD10N60M2 , STD10NF10-1 , STD10NF10T4 , STD10NF30 , STD10P6F6 , STD10PF06-1 , STD10PF06T4 .
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