STD100NH03LT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STD100NH03LT4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD100NH03LT4
STD100NH03LT4 Datasheet (PDF)
std100nh03lt4.pdf

STD100NH03LN-channel 30V - 0.005 - 60A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH03L 30V
std100nh02l.pdf

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V
std100nh02lt4.pdf

STD100NH02LSTD100NH02L-1N-channel 24V - 0.0042 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD100NH02L 24V
std100n3lf3.pdf

STD100N3LF3N-channel 30 V, 0.0045 , 80 A, DPAKplanar STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSSS RDS(on) ID PwSTD100N3LF3 30 V
Другие MOSFET... STC4606 , STC4614 , STC6332 , STC6602 , STC6614 , STD100N03LT4 , STD100N10F7 , STD100NH02LT4 , IRF640N , STD105N10F7AG , STD10N60M2 , STD10NF10-1 , STD10NF10T4 , STD10NF30 , STD10P6F6 , STD10PF06-1 , STD10PF06T4 .
History: SWD4N60K | CS4N60ARRD | AUIRFB4410 | 2P979B | IRFAG40 | SSM9972GS | WMN30N65EM
History: SWD4N60K | CS4N60ARRD | AUIRFB4410 | 2P979B | IRFAG40 | SSM9972GS | WMN30N65EM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107