STD10NF30 Todos los transistores

 

STD10NF30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD10NF30

Código: 10NF30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 103 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Tiempo de elevación (tr): 9.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.33 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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STD10NF30 Datasheet (PDF)

1.1. std10nf30.pdf Size:868K _st

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3.1. std10nf06l.pdf Size:302K _st

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3.2. std10nf10-1 std10nf10t4 std10nf10.pdf Size:457K _st

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