STD10PF06-1 Todos los transistores

 

STD10PF06-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD10PF06-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD10PF06-1 datasheet

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STD10PF06-1

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STD10PF06-1

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STD10PF06-1

STD10PF06T4 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter S

 8.1. Size:1198K  st
std10p6f6 stf10p6f6 stp10p6f6 stu10p6f6.pdf pdf_icon

STD10PF06-1

STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6 P-channel -60 V, 0.13 typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID 3 STD10P6F6 1 3 STF10P6F6 2 DPAK -60 V 0.16 -10 A 1 STP10P6F6 TO-220FP STU10P6F6 TAB TAB Very low on-resistance 3 Very low gate char

Otros transistores... STD100NH02LT4 , STD100NH03LT4 , STD105N10F7AG , STD10N60M2 , STD10NF10-1 , STD10NF10T4 , STD10NF30 , STD10P6F6 , AON6414A , STD10PF06T4 , STD110N02R , STD110N02RT4G , STD110N8F6 , STD110NH02LT4 , STD11N50M2 , STD11N65M2 , STD11N65M5 .

 

 

 


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