STD110NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD110NH02LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 224 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1126 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD110NH02LT4 MOSFET
STD110NH02LT4 Datasheet (PDF)
std110nh02lt4.pdf

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V
std110nh02l.pdf

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V
std110n8f6.pdf

STD110N8F6N-channel 80 V, 0.0056 typ.,80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTTABSTD110N8F6 80 V 0.0065 80 A 167 W32 Very low on-resistance 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness DPAK Low gate drive power lossApplicationsFigure 1. Internal schematic diagr
ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter
Otros transistores... STD10NF10T4 , STD10NF30 , STD10P6F6 , STD10PF06-1 , STD10PF06T4 , STD110N02R , STD110N02RT4G , STD110N8F6 , STP75NF75 , STD11N50M2 , STD11N65M2 , STD11N65M5 , STD11NM60N , STD11NM60N-1 , STD11NM65N , STD12N50M2 , STD12N65M2 .
History: IRFH7911PBF
History: IRFH7911PBF



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