STD110NH02LT4 Todos los transistores

 

STD110NH02LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD110NH02LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 224 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD110NH02LT4 datasheet

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STD110NH02LT4

STD110NH02L N-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAK STripFET III Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD110NH02L 24V

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STD110NH02LT4

STD110NH02L N-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAK STripFET III Power MOSFET General features VDSSS RDS(on) ID Type STD110NH02L 24V

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STD110NH02LT4

STD110N8F6 N-channel 80 V, 0.0056 typ.,80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max ID PTOT TAB STD110N8F6 80 V 0.0065 80 A 167 W 3 2 Very low on-resistance 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness DPAK Low gate drive power loss Applications Figure 1. Internal schematic diagr

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STD110NH02LT4

NTD110N02R, STD110N02R Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss http //onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements in High-Efficiency DC-DC Converter

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History: TK7A65W | 2SK1544 | STD10N60M2 | 2SK1381 | STD110N8F6 | 2SK1120

 

 

 

 

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