Справочник MOSFET. STD110NH02LT4

 

STD110NH02LT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD110NH02LT4
   Маркировка: D110NH02L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 224 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD110NH02LT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD110NH02LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  st
 std110nh02lt4.pdf pdf_icon

STD110NH02LT4

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V

 3.1. Size:466K  st
 std110nh02l.pdf pdf_icon

STD110NH02LT4

STD110NH02LN-channel 24V - 0.0044 - 80A - DPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresVDSSS RDS(on) IDTypeSTD110NH02L 24V

 7.1. Size:626K  st
 std110n8f6.pdf pdf_icon

STD110NH02LT4

STD110N8F6N-channel 80 V, 0.0056 typ.,80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max ID PTOTTABSTD110N8F6 80 V 0.0065 80 A 167 W32 Very low on-resistance 1 Very low gate charge High avalanche ruggedness DPAK Low gate drive power lossApplicationsFigure 1. Internal schematic diagr

 7.2. Size:131K  onsemi
 ntd110n02rg std110n02rt4g.pdf pdf_icon

STD110NH02LT4

NTD110N02R, STD110N02RPower MOSFET24 V, 110 A, N-Channel DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDS(on) to Minimize Conduction Losshttp://onsemi.com Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge24 V 4.1 mW @ 10 V 110 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD10NF10T4 , STD10NF30 , STD10P6F6 , STD10PF06-1 , STD10PF06T4 , STD110N02R , STD110N02RT4G , STD110N8F6 , STP75NF75 , STD11N50M2 , STD11N65M2 , STD11N65M5 , STD11NM60N , STD11NM60N-1 , STD11NM65N , STD12N50M2 , STD12N65M2 .

 

 
Back to Top

 


 
.